Аспирантка ФТИ ИРНИТУ Алина Журавлёва провела исследования в области спинтроники в рамках стажировки в ИПЛИТ РАН
15 января 2016г.
Поделиться:
Аспирантка Физико-технического института ИРНИТУ Алина Журавлёва прошла научную стажировку в Институте проблем лазерных и информационных технологий РАН (ИПЛИТ РАН) в Шатуре (Московская область). Август-декабрь минувшего года молодой ученый посвятила исследованиям в области спиновой электроники.
Как рассказала Алина Журавлёва, пройти стажировку в Шатуре ей удалось благодаря грантовой поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований за победу в конкурсе научных проектов, выполняемых молодыми учеными под руководством кандидатов и докторов наук в научных организациях РФ. Руководил проектом в Шатуре к.ф.м.н Андрей Лотин.
В рамках стажировки она занималась изучением магнитных особенностей в тонких пленках на основе оксида цинка, легированных 3d металлами. Работу над этой тематикой А. Журавлёва начала несколько лет назад. Исследования в данной области направлены на поиск полупроводниковых материалов, обладающих ферромагнитными свойствами при комнатной температуре. Такие эффективные материалы необходимы для создания быстродействующих устройств спиновой электроники с низким энергопотреблением и тепловыделением. К ним относятся суперкомпьютеры, спиновые вентили и транзисторы, оптические системы, МRAM-память. Попытки дальнейшей миниатюризации элементов «кремниевой» электроники сталкиваются с фундаментальными физическими трудностями. Поэтому оксид цинка, как считает аспирантка, может в ближайшее время стать альтернативой кремнию.
В лаборатории наноструктур и тонких плёнок ИПЛИТ РАН А. Журавлёва синтезировала методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) тонкие плёнки на основе оксида цинка и исследовала их структуру, морфологию, электрические, магнитные и магнитооптические свойства.
А. Журавлёва планирует продолжить исследования на установке импульсного лазерного осаждения, которой в 2015 году была оборудована лаборатория Физико-технического института ИРНИТУ.
«Чтобы синтезировать полупроводниковые структуры и изучать их свойства, ранее мне приходилось уезжать на различные стажировки (Москва, Гонконг). Это длительный и трудоемкий процесс. Теперь у меня, как и у всех студентов и аспирантов появилась возможность проводить необходимые эксперименты на оборудовании родного вуза. Эта установка дает широкие возможности для развития направления спиновой электроники в ИРНИТУ», - поясняет А. Журавлёва.
Кроме того, в ходе стажировки А. Журавлёва провела ряд магнитных и магнитооптических измерений синтезированных материалов совместно с коллегами из МГУ им М.В. Ломоносова Николаем Перовым и Еленой Ганьшиной. Тесные научные отношения с этим учеными аспирантка установила во время стажировки в МГУ в мае 2014 года.
Также в Шатуре ей удалось посетить несколько семинаров по стереолитографии (моделирование и синтезирование объектов в 3D пространстве) и Биеннале высоких технологий в Москве.
Ольга Балабанова
Фото предоставлены Алиной Журавлёвой
Аспирантка ИРНИТУ Ангелина Александрова – победитель Международного конкурса «Современная наука: исследования и разработки»
22 мая 2020г.
Коллектив ИРНИТУ в рамках гранта Ученого совета разрабатывает перспективные материалы спинтроники
12 декабря 2019г.
Сотрудник ИРНИТУ Алина Кузьмина успешно защитила кандидатскую диссертацию в области спинтроники
2 ноября 2017г.
Проект в области авиастроения представит студент ИРНИТУ Никодим Подрез на форуме «Наука будущего – наука молодых» в Нижнем Новгороде
11 сентября 2017г.
Аспирантка ИРНИТУ Алина Журавлёва – лауреат премии президента РФ
27 января 2016г.
Аспирантка ИрГТУ Алина Журавлёва выиграла конкурс на получение стипендии Президента РФ
3 марта 2015г.
Аспирантка НИ ИрГТУ провела эксперимент с бытовыми отходами на биореакторах в научном институте Германии
7 июля 2014г.
Аспирантка Иркутского политеха Алина Журавлёва стажировалась в МГУ в области спинтроники
9 июня 2014г.
Магистранты ИрГТУ Михаил Кузьмин и Алина Журавлева - победители стипендиальной программы В. Потанина
25 февраля 2014г.
Аспирантка ИрГТУ Алина Журавлева на стажировке в Гонконге изучала новые свойства материалов
14 июня 2013г.
Оставаясь на сайте ИРНИТУ, Вы соглашаетесь с размещением файлов cookie на вашем компьютере, с целью анализа использования Веб-сайта.